метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или Si3N4 в монокристалле кремния имплантацией ионов кислорода или азота с последующим термическим отжигом

метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или Si3N4 в монокристалле кремния имплантацией ионов кислорода или азота с последующим термическим отжигом
n

Универсальный русско-немецкий словарь. . 2011.

Нужно решить контрольную?

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»